| 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响 | |
| 王贺权; 巴德纯; 沈辉; 汪保卫; 闻立时 | |
| 2005 | |
| Source Publication | 真空科学与技术学报
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| ISSN | 1672-7126 |
| Volume | 25.0Issue:1.0Pages:65-68 |
| Abstract | 用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，在固定电源功率、氩气流量42．6sccm、氧流量15sccm、溅射时间30min的条件下，通过控制总气压改变TiO22薄膜的光学性质。应用n＆k Analyzer 1200测量，当总气压增加时薄膜的平均反射率降低，同时反射低谷向短波方向移动，总气压对消光系数k影响不大；随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现，随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
| Keyword | TiO2薄膜 光学性质 直流反应磁控溅射 折射率 气压 晶体结构 硅基底 短波 对消 反射率 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2129936 |
| Citation statistics |
Cited Times:2[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146282 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王贺权,巴德纯,沈辉,等. 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2005,25.0(1.0):65-68. |
| APA | 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,&闻立时.(2005).总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响.真空科学与技术学报,25.0(1.0),65-68. |
| MLA | 王贺权,et al."总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响".真空科学与技术学报 25.0.1.0(2005):65-68. |
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