IMR OpenIR
总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响
王贺权; 巴德纯; 沈辉; 汪保卫; 闻立时
2005
Source Publication真空科学与技术学报
ISSN1672-7126
Volume25.0Issue:1.0Pages:65-68
Abstract用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6sccm、氧流量15sccm、溅射时间30min的条件下,通过控制总气压改变TiO22薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向短波方向移动,总气压对消光系数k影响不大;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
KeywordTiO2薄膜 光学性质 直流反应磁控溅射 折射率 气压 晶体结构 硅基底 短波 对消 反射率
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2129936
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146282
Collection中国科学院金属研究所
Affiliation中国科学院金属研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
王贺权,巴德纯,沈辉,等. 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2005,25.0(1.0):65-68.
APA 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,&闻立时.(2005).总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响.真空科学与技术学报,25.0(1.0),65-68.
MLA 王贺权,et al."总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响".真空科学与技术学报 25.0.1.0(2005):65-68.
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王贺权]'s Articles
[巴德纯]'s Articles
[沈辉]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王贺权]'s Articles
[巴德纯]'s Articles
[沈辉]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王贺权]'s Articles
[巴德纯]'s Articles
[沈辉]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.