IMR OpenIR
Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为
刘光明; 李美栓; 周延春; 张亚明
2002
Source Publication材料研究学报
ISSN1005-3093
Volume16.0Issue:003Pages:263-267
Abstract用循环氧化和用声发射技术研究了Ti3SiC2陶瓷材料氧化膜的抗剥落性和氧化膜的开裂行为。利用XRD和SEM分析了表面成分和结构。结果表明,Ti3SiC2有良好的抗循环氧化性能,腐蚀产物分成明显的两层,外层成分为TiO2,内层为TiO2和SiO2的混合物。内层有明显的贯穿性纵向裂纹。在声发射实验的恒温阶段没有观测到声信号,但在降温过程中出现了声信号,表明生长应力不会导致氧化膜破裂,而热应力导致氧化膜破裂。
KeywordTi3SiC2 氧化膜 抗循环氧化行为 钛碳化硅 循环氧化 声发射 陶瓷 抗剥落性 结构 开裂行为
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:959656
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/149562
Collection中国科学院金属研究所
Affiliation中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
刘光明,李美栓,周延春,等. Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为[J]. 材料研究学报,2002,16.0(003):263-267.
APA 刘光明,李美栓,周延春,&张亚明.(2002).Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为.材料研究学报,16.0(003),263-267.
MLA 刘光明,et al."Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为".材料研究学报 16.0.003(2002):263-267.
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