天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究

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	天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
其他题名	The preparation of natural Ge nanocrystals in SiO2 film and neutron transmutation doping
	范立伟 1; 卢铁城 2; 敦少博 1; 胡又文 1; 陈青云 1; 胡强 1; 游草风 1; 张松宝 3; 唐彬 3; 代君龙 3
	2011
发表期刊	四川大学学报：自然科学版
ISSN	0490-6756
卷号	48.0 期号:003 页码:651-654
摘要	采用离子注入法及退火工艺，在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品．通过退火实验研究，发现随着退火温度的升高，纳米晶的晶态峰峰位红移，这意味着Ge纳米晶受到的应力减小．当退火温度达到700℃时，纳米晶的晶态峰强度显著增强，而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱．采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂，X射线荧光光谱数据表明，样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质．薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构，中子辐照之后其发光仍然存在，而且，掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光．
其他摘要	Natural Ge nanocrystals embedded in SiO2 film were fabricated by ion-implantation and subsequent annealing. With increasing annealing temperature, the Raman peak of Ge nanocrystals red-shifts to lower wave numbers which indicates less stress around Ge nanocrystals. When annealed at 700℃, Ge nanocrystals grew faster and the photoluminescence related to defects decreased. Ga and As impurities could be introduced to nanocrystals by neutron transmutation doping method. The luminescence from Ge-related defects could be observed before and after neutron irradiation, which means that this kind of defect has a stable structure. No new color center was found in the sample after neutron transmutation doping.
关键词	天然Ge纳米晶中子嬗变掺杂拉曼光谱 X射线荧光光谱
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:4204638
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/151658
专题	中国科学院金属研究所
作者单位	1.四川大学 2.中国科学院国际材料物理研究中心 3.中国工程物理研究院核物理与化学所
推荐引用方式 GB/T 7714	范立伟,卢铁城,敦少博,等. 天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究[J]. 四川大学学报：自然科学版,2011,48.0(003):651-654.
APA	范立伟.,卢铁城.,敦少博.,胡又文.,陈青云.,...&代君龙.(2011).天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究.四川大学学报：自然科学版,48.0(003),651-654.
MLA	范立伟,et al."天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究".四川大学学报：自然科学版 48.0.003(2011):651-654.