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反结碳化硅高温氧化过程的表面分析
Alternative TitleOxidation Characterization of Reaction-bonded SiC at Elevated Temperature by Means of SEIVI and AFM
郑传伟; 曹小明; 张劲松
2010
Source Publication腐蚀科学与防护技术
ISSN1002-6495
Volume22Issue:6Pages:479-483
Abstract用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等表面分析方法,考察了反应烧结碳化硅(RBSC)材料在纯氧气中的氧化行为,结果表明,反应烧结SiC(RBSC)表面残余Si比α-SiC拥有更多的缺陷,初期氧化速率更快.表面粗糙度的变化在一定程度上也反映了氧化发生的过程,结合氧化动力学、SEM及AFM,建立了RBSC初期氧化过程的生长模型.提供表面三维信息的AFM和分析成分与形貌信息的SEM技术是研究表面氧化过程尤其是初期氧化十分方便有效的工具
Keyword碳化硅 高温氧化 粗糙度 拓扑形貌
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4059561
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/152582
Collection中国科学院金属研究所
Affiliation中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
郑传伟,曹小明,张劲松. 反结碳化硅高温氧化过程的表面分析[J]. 腐蚀科学与防护技术,2010,22(6):479-483.
APA 郑传伟,曹小明,&张劲松.(2010).反结碳化硅高温氧化过程的表面分析.腐蚀科学与防护技术,22(6),479-483.
MLA 郑传伟,et al."反结碳化硅高温氧化过程的表面分析".腐蚀科学与防护技术 22.6(2010):479-483.
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