| In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 | |
| 陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时 | |
| 2000 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| ISSN | 1674-4926 |
| Volume | 21.0Issue:004Pages:394-399 |
| Abstract | 基于对锡掺杂三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３，简称ＩＴＯ）和铝掺杂氧化锌（Ａｌ－ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ，简称ＺＡＯ）薄膜退火前后ＸＲＤ数据的分析，研究了薄膜晶格常数畸变的原因，同时讨论了ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜的导电机制。结果表明，低温沉积ＩＴＯ薄膜的晶格膨胀来源于Ｓｎ＾２＋对Ｉｎ＾３＋的替换，导电电子则由氧缺位提供；高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Ｓｎ＾４＋对Ｉｎ＾３＋的替换，导电电子则 |
| Keyword | 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532714 |
| Citation statistics |
Cited Times:21[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156829 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,等. In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报,2000,21.0(004):394-399. |
| APA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,&闻立时.(2000).In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制.半导体学报,21.0(004),394-399. |
| MLA | 陈猛,et al."In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制".半导体学报 21.0.004(2000):394-399. |
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