In2O3:Sn和ZnO:Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 | |
陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时 | |
2000 | |
Source Publication | 半导体学报
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ISSN | 1674-4926 |
Volume | 21.0Issue:004Pages:394-399 |
Abstract | 基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3,简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析,研究了薄膜晶格常数畸变的原因,同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制。结果表明,低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于Sn^2+对In^3+的替换,导电电子则由氧缺位提供;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Sn^4+对In^3+的替换,导电电子则 |
Keyword | 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532714 |
Citation statistics |
Cited Times:21[CSCD]
[CSCD Record]
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Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156829 |
Collection | 中国科学院金属研究所 |
Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,等. In2O3:Sn和ZnO:Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报,2000,21.0(004):394-399. |
APA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,&闻立时.(2000).In2O3:Sn和ZnO:Al透明导电薄膜的结构及其导电机制.半导体学报,21.0(004),394-399. |
MLA | 陈猛,et al."In2O3:Sn和ZnO:Al透明导电薄膜的结构及其导电机制".半导体学报 21.0.004(2000):394-399. |
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