柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性

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	柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性
	陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时
	1999
发表期刊	金属学报
ISSN	0412-1961
卷号	35.0 期号:004 页码:443-448
摘要	利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜。结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响。
关键词	柔性基片光学能隙半导体薄膜制备 ITO ZAO
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:675290
引用统计	被引频次：5[CSCD] [CSCD记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156904
专题	中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈猛,白雪冬,黄荣芳,等. 柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性[J]. 金属学报,1999,35.0(004):443-448.
APA	陈猛,白雪冬,黄荣芳,&闻立时.(1999).柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性.金属学报,35.0(004),443-448.
MLA	陈猛,et al."柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性".金属学报 35.0.004(1999):443-448.