| C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究 |
| 邓景屹; 刘文川; 杜海峰; 成会明; 李依依
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| 1999
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| 发表期刊 | 硅酸盐学报
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| ISSN | 0454-5648
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| 卷号 | 27.0期号:003页码:357-361 |
| 摘要 | 研究比较Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为，实验结果表明：ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化质量损失速率。利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程。 |
| 关键词 | 碳
复合材料
氧化
碳化硅
非金属
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| 收录类别 | CSCD
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| 语种 | 中文
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| CSCD记录号 | CSCD:617094
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| 引用统计 |
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/157851
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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| 作者单位 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
邓景屹,刘文川,杜海峰,等. C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究[J]. 硅酸盐学报,1999,27.0(003):357-361.
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| APA |
邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,&李依依.(1999).C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究.硅酸盐学报,27.0(003),357-361.
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| MLA |
邓景屹,et al."C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究".硅酸盐学报 27.0.003(1999):357-361.
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