| 一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料 | |
| 王振华; 张志东; 李名泽; 杨亮; 赵晓天; 高翾 | |
| 2019-02-12 | |
| 专利权人 | 王振华 ; 张志东 ; 李名泽 ; 杨亮 ; 赵晓天 ; 高翾 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 专利号 | 201610183745.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/158304 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王振华；张志东；李名泽；杨亮；赵晓天；高翾. 一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料. 201610183745.5[P]. 2019-02-12. |
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