| 熔融硅液相浸渍法制备C/C-SiC复合材料 |
| 王道岭
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| 学位类型 | 硕士
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| 导师 | 邓景屹
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| 2006-06-17
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| 学位授予单位 | 中国科学院金属研究所
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| 学位授予地点 | 金属研究所
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| 学位专业 | 材料学
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| 关键词 | C/c-sic复合材料
熔融硅液相浸渍法
微观结构
抗氧化性能
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| 摘要 | C/C-SiC复合材料作为一种新型高温结构材料，在航空航天、汽车、化工等诸多高新领域具有广泛的应用前景。熔融硅液相浸渍法以其生产周期短、成本低的特点，成为实现C/C-SiC材料产业化生产的最具潜力的工艺方法。本文采用熔融硅液相浸渍工艺制备了C/C-SiC材料，研究了各因素对材料结构的影响，材料最终的结构和成分不仅与工艺温度、时间等有关，在很大程度上还取决于所用多孔C/C预制体的孔隙率、孔隙结构以及基体碳与硅的反应活性等。观察和分析了C/C-SiC材料的微观结构，熔融硅主要沿C/C多孔体中孔隙、或者裂纹等通道渗入，生成的碳化硅也主要分布在C/C预制体中密度相对较低，孔隙率较高的层间孔、束间孔以及基体裂缝处。测量并分析了C/C-SiC材料的抗氧化性能，对比实验发现，碳化硅的存在很好地保护了C/C材料在热氧化环境中易受攻击的薄弱部位，使得C/C-SiC材料的抗氧化性能明显优于C/C材料。 |
| 页数 | 58
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 学位论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/16977
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王道岭. 熔融硅液相浸渍法制备C/C-SiC复合材料[D]. 金属研究所. 中国科学院金属研究所,2006.
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