| 择优取向氮掺杂氧化铟薄膜的制备及其光电性能 | |
| 孙辉1; 沈龙海1; 刘子童1,2; 陈建金1; 张芮馨1 | |
| 2023 | |
| 发表期刊 | 硅酸盐学报
 |
| ISSN | 0454-5648 |
| 卷号 | 51期号:01期页码:145-151 |
| 摘要 | 为探索氧化铟基半导体薄膜择优取向的控制生长策略，并探究晶面取向对光电性能的影响，采用磁控溅射技术在石英(SiO2)衬底上分别制备了具有(222)和(440)晶面择优取向的氮掺杂氧化铟(In2O3:N)薄膜，利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外–可见分光光度计对In2O3:N薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成、光学带隙进行了表征，并研究了不同择优取向薄膜的光电特性。结果表明：不同择优取向In2O3:N薄膜的氮掺杂均以替位式为主，氮掺杂会导致氧化铟的禁带宽度减小至2.89 eV。相比(222)晶面择优取向，(440)晶面择优取向的In2O3:N薄膜的光响应时间更短。 |
| 关键词 | 氮掺杂氧化铟 磁控溅射 择优取向 光电探测 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/179572 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 1.沈阳理工大学理学院 2.中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙辉,沈龙海,刘子童,等. 择优取向氮掺杂氧化铟薄膜的制备及其光电性能[J]. 硅酸盐学报,2023,51(01期):145-151. |
| APA | 孙辉,沈龙海,刘子童,陈建金,&张芮馨.(2023).择优取向氮掺杂氧化铟薄膜的制备及其光电性能.硅酸盐学报,51(01期),145-151. |
| MLA | 孙辉,et al."择优取向氮掺杂氧化铟薄膜的制备及其光电性能".硅酸盐学报 51.01期(2023):145-151. |
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