| AlN纳米线宏观阵列的制备 |
| 李志杰; 田鸣; 贺连龙
|
| 2011-09-15
|
| 发表期刊 | 物理学报
 |
| 期号 | 9页码:669-674 |
| 摘要 | 借助二次模板法成功的合成了AlN纳米线宏观阵列,并进行了表征.主要研究CVD法制备有一定取向,直径均匀的AlN纳米线宏观阵列的过程.通过气相沉积法和利用PS球自组装模板制备了金属纳米颗粒模板;再以模板上的金属纳米颗粒作为催化剂,利用化学气相沉积在模板上合成AlN纳米线宏观阵列.借助SEM,TEM观察所得样品,AlN纳米线阵列面积约为0.3mm×0.2mm,直径和长度分布均匀,平均直径约为41nm,平均长度为1.8μm左右,分散密度和覆盖率大的六角结构AlN纳米线宏观阵列.得到了可控制备AlN纳米线宏观阵列方法. |
| 部门归属 | 沈阳工业大学理学院;中国科学院金属研究所;
|
| 关键词 | Aln纳米线阵列
模板法
Cvd法
Sem
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23318
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
李志杰,田鸣,贺连龙. AlN纳米线宏观阵列的制备[J]. 物理学报,2011(9):669-674.
|
| APA |
李志杰,田鸣,&贺连龙.(2011).AlN纳米线宏观阵列的制备.物理学报(9),669-674.
|
| MLA |
李志杰,et al."AlN纳米线宏观阵列的制备".物理学报 .9(2011):669-674.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论