| 基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响 |
| 程华; 王萍; 崔岩; 吴爱民; 石南林
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| 2011-08-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 4页码:408-412 |
| 摘要 | 以Ar+SiH_4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明,随着基片温度的升高,薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶,薄膜的粗糙度单调增大,而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大,禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所;中国人民解放军装甲兵技术学院;大连理工大学;
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| 关键词 | 材料合成与加工工艺
微晶硅薄膜
Ecr Pecvd
吸收系数
光学带隙
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23343
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
程华,王萍,崔岩,等. 基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响[J]. 材料研究学报,2011(4):408-412.
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| APA |
程华,王萍,崔岩,吴爱民,&石南林.(2011).基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响.材料研究学报(4),408-412.
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| MLA |
程华,et al."基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响".材料研究学报 .4(2011):408-412.
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