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羰基、羧基和羟基表面官能团对碳纳米管电容量的影响(英文)
李莉香; 李峰
2011-06-15
发表期刊新型炭材料
期号3页码:224-228
摘要分别采用混酸、空气、硝酸和高锰酸钾对碳纳米管进行氧化处理,以在其表面引入官能团,进而研究了表面官能团对碳纳米管电化学性能的影响。X-射线光电子谱分析表明:混酸氧化处理引入的官能团主要为羰基和羧基;空气氧化使碳纳米管表面链接较多的羟基,但羰基和羧基的含量最少;而硝酸处理和高锰酸钾处理引入了中等数量的羰基和羧基。经四种处理方法所得碳纳米管具有相近的比表面积和孔结构。通过比较它们的比电容发现:羰基和羧基贡献了最多的准电容,尤其羰基含量与碳纳米管的电容量呈正比关系;而羟基主要增强了双层电容,并未引入明显的准法拉第容量。由于羰基和羧基比羟基具有更低的电荷传递电阻,有利于快速的法拉第反应,从而引入准电容。
部门归属辽宁科技大学材料电化学研究所;中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
关键词碳纳米管 羰基 羧基 羟基 准电容
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23414
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李莉香,李峰. 羰基、羧基和羟基表面官能团对碳纳米管电容量的影响(英文)[J]. 新型炭材料,2011(3):224-228.
APA 李莉香,&李峰.(2011).羰基、羧基和羟基表面官能团对碳纳米管电容量的影响(英文).新型炭材料(3),224-228.
MLA 李莉香,et al."羰基、羧基和羟基表面官能团对碳纳米管电容量的影响(英文)".新型炭材料 .3(2011):224-228.
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