| 气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究 |
| 黄香平; 肖金泉; 邓宏贵; 杜昊; 闻火; 黄荣芳; 闻立时
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| 2011-03-15
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| 发表期刊 | 真空科学与技术学报
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| 期号 | 2页码:178-182 |
| 摘要 | 在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。 |
| 部门归属 | 中南大学物理科学与技术学院;中国科学院金属研究所;武汉华硅太阳能科技有限责任公司;
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| 关键词 | 纳晶硅
悬挂键密度
电子自旋共振
Raman光谱
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23501
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄香平,肖金泉,邓宏贵,等. 气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究[J]. 真空科学与技术学报,2011(2):178-182.
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| APA |
黄香平.,肖金泉.,邓宏贵.,杜昊.,闻火.,...&闻立时.(2011).气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究.真空科学与技术学报(2),178-182.
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| MLA |
黄香平,et al."气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究".真空科学与技术学报 .2(2011):178-182.
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