| 交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响 |
| 常林荣; 曹发和; 蔡景顺; 刘文娟; 张昭; 张鉴清
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| 2011-02-15
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发表期刊 | Transactions of Nonferrous Metals Society of China
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期号 | 2页码:307-316 |
摘要 | 在碱性硼酸盐体系中,使用新型的交变方波电源在镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜。用正交实验法研究电压、频率和占空比等电源参数对微弧氧化膜性能的影响。结果表明:微弧氧化膜的厚度随电压和占空比的升高而增厚,但随频率的升高而减薄。氧化膜的结构和形貌随电源参数的变化而变化,氧化膜上的孔隙和裂缝会随着电压和占空比的升高而增多。当电压低于120V时,只能得到薄而透明的氧化膜,氧化膜的主要成分为MgO,Al2O3,MgAl2O4和MgSiO3。在3.5%氯化钠溶液中,采用电化学阻抗谱和极化曲线检测了氧化膜的耐腐蚀性。结果表明,当电压、频率和占空比分别为140V,2000Hz和0.4时,微弧氧化膜的耐腐蚀性最好。 |
部门归属 | 浙江大学化学系;中国科学院金属研究所腐蚀与防护国家重点实验室;
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关键词 | Az91d
微弧氧化
交变方波
占空比
电压
频率
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23537
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
常林荣,曹发和,蔡景顺,等. 交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响[J]. Transactions of Nonferrous Metals Society of China,2011(2):307-316.
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APA |
常林荣,曹发和,蔡景顺,刘文娟,张昭,&张鉴清.(2011).交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响.Transactions of Nonferrous Metals Society of China(2),307-316.
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MLA |
常林荣,et al."交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响".Transactions of Nonferrous Metals Society of China .2(2011):307-316.
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