| 反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析 |
| 郑传伟; 曹小明; 张劲松
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| 2010-11-25
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| 发表期刊 | 腐蚀科学与防护技术
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| 期号 | 6页码:479-483 |
| 摘要 | 用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等表面分析方法,考察了反应烧结碳化硅(RBSC)材料在纯氧气中的氧化行为.结果表明,反应烧结SiC(RBSC)表面残余Si比α-SiC拥有更多的缺陷,初期氧化速率更快.表面粗糙度的变化在一定程度上也反映了氧化发生的过程.结合氧化动力学、SEM及AFM,建立了RBSC初期氧化过程的生长模型.提供表面三维信息的AFM和分析成分与形貌信息的SEM技术是研究表面氧化过程尤其是初期氧化十分方便有效的工具. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所;
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| 关键词 | 碳化硅
高温氧化
粗糙度
拓扑形貌
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23591
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑传伟,曹小明,张劲松. 反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析[J]. 腐蚀科学与防护技术,2010(6):479-483.
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| APA |
郑传伟,曹小明,&张劲松.(2010).反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析.腐蚀科学与防护技术(6),479-483.
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| MLA |
郑传伟,et al."反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析".腐蚀科学与防护技术 .6(2010):479-483.
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