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Na_2SO_4水溶液中Mg-10Gd-2Y-0.5Zr微晶薄膜的电化学腐蚀行为
王赫男; 李瑛; 王福会
2010-11-25
发表期刊腐蚀科学与防护技术
期号6页码:469-473
摘要利用磁控溅射技术制备了晶粒尺寸为300nm~400 nm的GW102K(Mg-10Gd-2Y-0.5Zr)微晶薄膜.通过动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究微晶薄膜在0.2 mol/L Na_2SO_4水溶液中的腐蚀行为.极化曲线结果表明,微晶化加速GW102K靶材合金的阴极过程,而抑制其阳极过程.EIS结果表明,微晶化降低GW102K靶材合金在自腐蚀电位下的转移电阻和腐蚀产物膜电阻,从而降低其耐蚀性.微晶化提供大量的晶粒边界,氢原子通过晶粒边界快速扩散,生成氢化物,从而加速GW102K靶材合金的阴极反应速率.此外,微晶化促进金属的阳极溶解,使微晶薄膜表面形成大量均匀的腐蚀产物,从而抑制金属的进一步溶解.
部门归属中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室;
关键词Mg-10gd-2y-0.5zr 微晶薄膜 腐蚀行为 氢化物 磁控溅射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23595
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王赫男,李瑛,王福会. Na_2SO_4水溶液中Mg-10Gd-2Y-0.5Zr微晶薄膜的电化学腐蚀行为[J]. 腐蚀科学与防护技术,2010(6):469-473.
APA 王赫男,李瑛,&王福会.(2010).Na_2SO_4水溶液中Mg-10Gd-2Y-0.5Zr微晶薄膜的电化学腐蚀行为.腐蚀科学与防护技术(6),469-473.
MLA 王赫男,et al."Na_2SO_4水溶液中Mg-10Gd-2Y-0.5Zr微晶薄膜的电化学腐蚀行为".腐蚀科学与防护技术 .6(2010):469-473.
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