| 用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜 |
| 程华; 张昕; 张广城; 刘汝宏; 吴爱民; 石南林
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| 2010-10-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 5页码:547-549 |
| 摘要 | 以Ar+SiH_4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响。结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600 W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所;中国人民解放军装甲兵技术学院;大连理工大学;
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| 关键词 | 材料合成与加工工艺
微晶硅薄膜
Ar稀释sih_4
Ecr-pecvd
微波功率
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23639
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
程华,张昕,张广城,等. 用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜[J]. 材料研究学报,2010(5):547-549.
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| APA |
程华,张昕,张广城,刘汝宏,吴爱民,&石南林.(2010).用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜.材料研究学报(5),547-549.
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| MLA |
程华,et al."用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜".材料研究学报 .5(2010):547-549.
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