Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究

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	Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究
	高磊; 周健; 孙志梅; 陈荣石; 韩恩厚
	2010-08-05
发表期刊	科学通报
期号	22 页码:2247-2251
摘要	Y和Gd在Mg中表现出反常高的固溶强化效率,这一现象与传统的弹性交互作用理论相矛盾.采用第一性原理计算研究了不同合金元素Al,Zn,Y,Gd对Mg固溶体中化学键的影响.结果表明,Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的主要原因是Mg-Y(Gd)和Mg-Mg化学键的增强.
部门归属	中国科学院金属研究所,金属腐蚀与防护国家重点实验室;中国科学院研究生院;厦门大学材料学院;
关键词	镁合金固溶强化第一性原理化学键
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23743
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	高磊,周健,孙志梅,等. Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究[J]. 科学通报,2010(22):2247-2251.
APA	高磊,周健,孙志梅,陈荣石,&韩恩厚.(2010).Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究.科学通报(22),2247-2251.
MLA	高磊,et al."Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究".科学通报 .22(2010):2247-2251.