| 反应烧结多孔碳化硅的高温氧化行为 |
| 郑传伟; 杨振明; 张劲松
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| 2010-02-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 1页码:103-107 |
| 摘要 | 研究了反应烧结多孔碳化硅(RPSC)陶瓷在1200-1500℃干燥氧气中的氧化行为。结果表明,与碳化硅致密块的高温氧化行为不同,温度越高,RPSC的氧化增重越小;RPSC的整个氧化过程分为氧化初期的快速增重阶段和缓慢氧化的平台阶段,氧化动力学曲线符合渐近线规律。RPSC的高温氧化在外表面和孔隙内同时发生,孔隙内的氧化占主导地位,最大氧化增重与孔隙率成线性关系。当孔内氧化速率高于氧气向孔内的传输速率时,氧化主要发生在孔口附近,氧化硅很快将孔封闭,阻止了孔内继续氧化。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所;
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| 关键词 | 无机非金属材料
热氧化
反应烧结多孔碳化硅
孔隙率
动力学
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23858
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑传伟,杨振明,张劲松. 反应烧结多孔碳化硅的高温氧化行为[J]. 材料研究学报,2010(1):103-107.
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| APA |
郑传伟,杨振明,&张劲松.(2010).反应烧结多孔碳化硅的高温氧化行为.材料研究学报(1),103-107.
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| MLA |
郑传伟,et al."反应烧结多孔碳化硅的高温氧化行为".材料研究学报 .1(2010):103-107.
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