在泡沫碳化硅载体上原位生长silicalite-1型沸石晶体

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	在泡沫碳化硅载体上原位生长silicalite-1型沸石晶体
	矫义来; 杨振明; 张劲松
	2010-02-25
发表期刊	材料研究学报
期号	1 页码:25-32
摘要	以多晶硅颗粒为硅源,在泡沫碳化硅载体上原位水热合成silicalite-1型沸石晶体。研究了硅颗粒加入量、NaOH浓度以及合成时间等因素对沸石晶体的负载量、晶体尺寸和沸石晶体/泡沫碳化硅复合材料比表面积的影响。结果表明,以多晶硅颗粒为硅源控制硅酸根的释放速度,使沸石晶体在碳化硅载体表面异质界面形核,从而实现沸石晶体在泡沫碳化硅载体表面的连续生长;当多晶硅量过少时,溶液中的硅酸根浓度过低,不能在载体表面形成连续生长的沸石层;而当多晶硅量过大时,溶液中硅的浓度过高,部分沸石晶体在溶液当中形核,使沸石晶体在载体表面的负载量下降;提高溶液中NaOH的浓度,加快硅的溶解,使溶液中硅的饱和浓度升高,沸石晶体的形核率也随之升高,使沸石晶体的负载量增加。在最优条件下制备的silicalite-1/泡沫碳化硅复合材料其沸石晶体的比表面积为81.28 m~2g~(-1)。
部门归属	中国科学院金属研究所;
关键词	无机非金属材料 Silicalite-1/泡沫碳化硅复合材料固态硅源 Silicalite-1型沸石水热合成
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23859
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	矫义来,杨振明,张劲松. 在泡沫碳化硅载体上原位生长silicalite-1型沸石晶体[J]. 材料研究学报,2010(1):25-32.
APA	矫义来,杨振明,&张劲松.(2010).在泡沫碳化硅载体上原位生长silicalite-1型沸石晶体.材料研究学报(1),25-32.
MLA	矫义来,et al."在泡沫碳化硅载体上原位生长silicalite-1型沸石晶体".材料研究学报 .1(2010):25-32.