具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征

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	具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征
	方志刚; 李处森; 孙家言; 张洪涛; 张劲松
	2010-02-15
发表期刊	新型炭材料
期号	1 页码:15-21
摘要	通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块。使用谐振腔微扰法对比测试了2450MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化。结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部εr′均逐渐增加;电损耗tgδe均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδm不断增加,而其同质压制块的tgδm值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降。当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的εr′值比其同质压制块约小1/2,tgδe值至少大2倍,而压制块的tgδm值超过SiC/C泡沫4倍多。SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗。
部门归属	中国科学院金属研究所;台州学院机械工程学院;
关键词	Sic/c泡沫三维连通网络结构电磁损耗微扰法非本征磁损耗
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23868
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	方志刚,李处森,孙家言,等. 具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征[J]. 新型炭材料,2010(1):15-21.
APA	方志刚,李处森,孙家言,张洪涛,&张劲松.(2010).具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征.新型炭材料(1),15-21.
MLA	方志刚,et al."具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征".新型炭材料 .1(2010):15-21.