| SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为 |
| 郑传伟; 杨振明; 田冲; 曹晓明; 张劲松
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| 2009-12-15
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| 发表期刊 | 稀有金属材料与工程
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| 期号 | S3页码:289-292 |
| 摘要 | 采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结构的SiC泡沫陶瓷,研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中的氧化行为。结果表明:在800～1300℃温度范围内,SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似,其氧化动力学曲线符合抛物线规律,氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制,氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低。 |
| 部门归属 | 中科院金属研究所;
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| 关键词 | Sic
泡沫陶瓷
氧化
结晶
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23922
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑传伟,杨振明,田冲,等. SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为[J]. 稀有金属材料与工程,2009(S3):289-292.
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| APA |
郑传伟,杨振明,田冲,曹晓明,&张劲松.(2009).SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为.稀有金属材料与工程(S3),289-292.
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| MLA |
郑传伟,et al."SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为".稀有金属材料与工程 .S3(2009):289-292.
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