| 准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究 |
| 崔连武; 程华; 吴敢; 黄荣芳; 闻火; 闻立时
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| 2009-07-25
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| 发表期刊 | 真空
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| 期号 | 4页码:5-8 |
| 摘要 | 利用KrF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化。研究了激光能量密度和照射脉冲数对薄膜结晶度的影响,并对晶化后薄膜的形貌和结构进行了表征。结果表明:该非晶硅薄膜晶化阈值约为110mJ/cm2,且不受照射脉冲数的影响;激光能量密度是影响薄膜结晶度的首要因素,但在较低的能量密度时,增加照射脉冲数也会显著的提高薄膜结晶度;结构及形貌表征发现,薄膜晶化层厚度约为400～500nm,平均晶粒尺寸为30～50nm。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所;兰州物理研究所;武汉华硅太阳能科技有限责任公司;
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| 关键词 | 准分子激光
非晶硅薄膜
激光能量密度
结晶度
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24031
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
崔连武,程华,吴敢,等. 准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究[J]. 真空,2009(4):5-8.
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| APA |
崔连武,程华,吴敢,黄荣芳,闻火,&闻立时.(2009).准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究.真空(4),5-8.
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| MLA |
崔连武,et al."准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究".真空 .4(2009):5-8.
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