| 无铅镀层锡晶须问题的研究进展 |
| 刘萌; 冼爱平
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| 2009-04-20
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发表期刊 | 材料科学与工程学报
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期号 | 2页码:314-323+328 |
摘要 | 全球电子封装行业的无铅化趋势,使得镀层锡晶须自发生长的问题变得十分突出。由于晶须的导电性可以引起高密度封装引脚之间短路,从而使电子产品失效甚至引发灾难性的事故,因此研究并阐明锡晶须生长机理、探索有效抑制锡晶须生长的手段、寻找合适的锡晶须生长加速实验方法评估电子产品的可靠性,成为当前亟需解决的问题。本文从锡晶须问题的由来,锡晶须的危害、锡晶须生长的机理、影响锡晶须生长的因素、抑制锡晶须生长的方法和锡晶须生长加速实验方法等几个方面,对锡晶须问题尤其是近年来这方面的研究进展作一简要评述,并提出一些需要研究的课题。 |
部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
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关键词 | 电镀
锡晶须
生长机理
无铅焊料
综述
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24126
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
刘萌,冼爱平. 无铅镀层锡晶须问题的研究进展[J]. 材料科学与工程学报,2009(2):314-323+328.
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APA |
刘萌,&冼爱平.(2009).无铅镀层锡晶须问题的研究进展.材料科学与工程学报(2),314-323+328.
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MLA |
刘萌,et al."无铅镀层锡晶须问题的研究进展".材料科学与工程学报 .2(2009):314-323+328.
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