| 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性 | |
| 廖国进; 骆红; 闫绍峰; 巴德纯; 闻立时 | |
| 2009-04-15 | |
| Source Publication | 稀有金属材料与工程
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| Issue | 4Pages:700-704 |
| Abstract | 应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜。Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量。薄膜试样的晶体结构用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子。随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关。 |
| description.department | 辽宁工业大学;中石油东北炼化工程有限公司锦州设计院;东北大学;中国科学院金属研究所; |
| Keyword | 光致发光 Al2o3 薄膜 磁控溅射 Cecl3 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24141 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 廖国进,骆红,闫绍峰,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性[J]. 稀有金属材料与工程,2009(4):700-704. |
| APA | 廖国进,骆红,闫绍峰,巴德纯,&闻立时.(2009).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性.稀有金属材料与工程(4),700-704. |
| MLA | 廖国进,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性".稀有金属材料与工程 .4(2009):700-704. |
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