掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响

IMR OpenIR

	掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响
	闫绍峰; 骆红; 廖国进; 巴德纯; 闻立时
	2009-03-25
发表期刊	真空
期号	2 页码:33-37
摘要	应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。
部门归属	辽宁工业大学机械工程与自动化学院;中石油东北炼化工程有限公司锦州设计院;东北大学机械工程与自动化学院;中国科学院金属研究所表面工程部;
关键词	三氧化二铝薄膜中频反应磁控溅射掺杂浓度光致发光 Ce
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24162
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	闫绍峰,骆红,廖国进,等. 掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响[J]. 真空,2009(2):33-37.
APA	闫绍峰,骆红,廖国进,巴德纯,&闻立时.(2009).掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响.真空(2),33-37.
MLA	闫绍峰,et al."掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响".真空 .2(2009):33-37.