IMR OpenIR
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
闫鹏飞; 隋曼龄
2008-12-31
Source Publication半导体技术
IssueS1Pages:133-135
Abstract对用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300~700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{1122}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
Keyword氮化镓 位错 带状缺陷 拉应力
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24239
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
闫鹏飞,隋曼龄. AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征[J]. 半导体技术,2008(S1):133-135.
APA 闫鹏飞,&隋曼龄.(2008).AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征.半导体技术(S1),133-135.
MLA 闫鹏飞,et al."AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征".半导体技术 .S1(2008):133-135.
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