AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

IMR OpenIR

	AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
	闫鹏飞; 隋曼龄
	2008-12-31
发表期刊	半导体技术
期号	S1 页码:133-135
摘要	对用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{1122}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。
部门归属	中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
关键词	氮化镓位错带状缺陷拉应力
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24239
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	闫鹏飞,隋曼龄. AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征[J]. 半导体技术,2008(S1):133-135.
APA	闫鹏飞,&隋曼龄.(2008).AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征.半导体技术(S1),133-135.
MLA	闫鹏飞,et al."AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征".半导体技术 .S1(2008):133-135.