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阳极氧化TiO_2纳米管阵列的制备与掺杂
管东升; 方海涛; 逯好峰; 孙涛; 李峰; 刘敏
2008-12-24
Source Publication化学进展
Issue12Pages:1868-1879
Abstract近年来,TiO2纳米管阵列的制备与应用得到了广泛的研究。阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列具有工艺简单、成本低廉、易于放大等优点,引起了极大关注。本文综述了阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列的研究现状,基于TiO2纳米管阵列在阳极氧化过程中的生长机理,讨论了决定阳极氧化TiO2纳米管阵列形成的主要因素。结合本组的研究工作,总结了如何通过改变电压、升压速率、电解液、温度和氧化时间,实现纳米管管径、管壁厚度、管长的有效控制,提高TiO2纳米管阵列的表面形貌质量。最后介绍了TiO2纳米管阵列掺杂改性方面的研究进展。
description.department哈尔滨工业大学材料科学与工程学院;中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
Keyword阳极氧化 Tio2纳米管 掺杂
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24247
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
管东升,方海涛,逯好峰,等. 阳极氧化TiO_2纳米管阵列的制备与掺杂[J]. 化学进展,2008(12):1868-1879.
APA 管东升,方海涛,逯好峰,孙涛,李峰,&刘敏.(2008).阳极氧化TiO_2纳米管阵列的制备与掺杂.化学进展(12),1868-1879.
MLA 管东升,et al."阳极氧化TiO_2纳米管阵列的制备与掺杂".化学进展 .12(2008):1868-1879.
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