中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性

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	中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性
	廖国进; 巴德纯; 闻立时; 朱振华; 刘斯明
	2008-03-15
发表期刊	稀有金属材料与工程
期号	3 页码:490-494
摘要	用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。XPS监测显示,薄膜中有Ce3+生成。这些薄膜的光致发光峰是在374nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。
部门归属	东北大学,东北大学,中国科学院金属研究所,长春理工大学,北京航空航天大学辽宁沈阳110004 辽宁工学院,辽宁锦州121001,辽宁沈阳110004,辽宁沈阳110016,吉林长春130022,北京100083
关键词	光致发光 Al2o3 薄膜磁控溅射稀土元素
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24470
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性[J]. 稀有金属材料与工程,2008(3):490-494.
APA	廖国进,巴德纯,闻立时,朱振华,&刘斯明.(2008).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性.稀有金属材料与工程(3),490-494.
MLA	廖国进,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性".稀有金属材料与工程 .3(2008):490-494.