直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响

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	直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响
	王贺权; 巴德纯; 沈辉; 闻立时
	2008-01-15
发表期刊	真空科学与技术学报
期号	1 页码:55-58
摘要	应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。
部门归属	沈阳航空工业学院,东北大学,中山大学,中国科学院金属研究所沈阳110034,东北大学沈阳110004,沈阳110004,广州510275,沈阳110016
关键词	直流反应磁控溅射二氧化钛薄膜太阳电池反射率
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24520
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2008(1):55-58.
APA	王贺权,巴德纯,沈辉,&闻立时.(2008).直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响.真空科学与技术学报(1),55-58.
MLA	王贺权,et al."直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响".真空科学与技术学报 .1(2008):55-58.