| Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究 |
| 吴元元; 朱银莲; 叶恒强
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| 2007-10-15
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| 发表期刊 | 电子显微学报
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| 期号 | 5页码:419-422 |
| 摘要 | 本文利用高角环形暗场成像技术获得六角Cr2Ta Laves相的重原子分辨的原子序数(Z)衬度像,阐述了在相近分辨率情况下Z衬度成像技术与普通高分辨像相比具有一定优势。从所得到Cr2Ta的层错的Z衬度像,直观地解释了层错的原子排列构型,为理解复杂结构中缺陷的原子构型提供了资料。 |
| 部门归属 | 沈阳材料科学国家(联合)实验室中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110016中国科学院研究生院,北京100049,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016
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| 关键词 | Cr2ta
Z衬度像
层错
高分辨像
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24598
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
吴元元,朱银莲,叶恒强. Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究[J]. 电子显微学报,2007(5):419-422.
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| APA |
吴元元,朱银莲,&叶恒强.(2007).Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究.电子显微学报(5),419-422.
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| MLA |
吴元元,et al."Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究".电子显微学报 .5(2007):419-422.
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