| 钴氮共掺杂TiO_2薄膜的制备及其光电化学性质 |
| 施晶莹; 冷文华; 程小芳; 张昭; 张鉴清; 曹楚南
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| 2007-09-15
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| 发表期刊 | 中国有色金属学报
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| 期号 | 9页码:1536-1542 |
| 摘要 | 采用溶胶-凝胶法分别制备未掺杂和钴掺杂TiO2溶胶,室温下将其分别与三乙胺反应制得氮掺杂和(Co,N)共掺杂的TiO2溶胶,然后通过浸渍-提拉法在钛片上成膜,经烧结获得掺杂光电极。采用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光谱和光电流作用谱等对电极进行表征,并探讨其光电响应机理。结果表明:TiO2共掺杂后并未引起TiO2能带边缘位置发生明显改变,N主要以NOx形式掺杂;(Co,N)共掺杂TiO2薄膜电极的可见光电响应比单掺杂的高,这主要归因于共掺杂TiO2薄膜电极的比表面积增大、光吸收性能改善、界面电荷转移速率提高以及共掺杂元素的协同作用等。 |
| 部门归属 | 福建泉州师范学院化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系 泉州362000,浙江大学化学系,杭州310027,杭州310027,杭州310027,杭州310027,杭州310027,中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳110016,杭州310027,中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳110016
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| 关键词 | Tio2薄膜
钴氮共掺杂
光电化学
可见光
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24622
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
施晶莹,冷文华,程小芳,等. 钴氮共掺杂TiO_2薄膜的制备及其光电化学性质[J]. 中国有色金属学报,2007(9):1536-1542.
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| APA |
施晶莹,冷文华,程小芳,张昭,张鉴清,&曹楚南.(2007).钴氮共掺杂TiO_2薄膜的制备及其光电化学性质.中国有色金属学报(9),1536-1542.
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| MLA |
施晶莹,et al."钴氮共掺杂TiO_2薄膜的制备及其光电化学性质".中国有色金属学报 .9(2007):1536-1542.
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