| 中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究 |
| 佟洪波; 巴德纯; 闻立时
|
| 2007-07-15
|
| 发表期刊 | 真空科学与技术学报
 |
| 期号 | 4页码:332-335 |
| 摘要 | 利用中频反应磁控溅射成功制备了AlN薄膜。研究了过程参数例如靶电流、溅射气压和氮浓度对AlN薄膜沉积速率和光学性能的影响规律。实验结果表明,在优化制备工艺的基础上,能够制备出具有优良光学性能(高折射率、低消光系数、高透射率)的AlN薄膜。 |
| 部门归属 | 东北大学机械工程与自动化学院,东北大学机械工程与自动化学院,中国科学院金属研究所 沈阳110004,辽宁石油化工大学机械学院抚顺113001,沈阳110004,沈阳110016
|
| 关键词 | 氮化铝
中频反应溅射
沉积速率
光学性能
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24673
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
佟洪波,巴德纯,闻立时. 中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究[J]. 真空科学与技术学报,2007(4):332-335.
|
| APA |
佟洪波,巴德纯,&闻立时.(2007).中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究.真空科学与技术学报(4),332-335.
|
| MLA |
佟洪波,et al."中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究".真空科学与技术学报 .4(2007):332-335.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论