| GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究 |
| 杨小红; 张士宏; 王忠堂; 张路宁; 冯斌
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| 2007-06-15
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| 发表期刊 | 沈阳理工大学学报
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| 期号 | 3页码:64-68 |
| 摘要 | 本文研究了GH4169合金在不同加热温度和不同保温时间下的晶粒长大规律.结果表明,晶粒尺寸随着保温时间的增加和加热温度的升高而长大.但该合金晶粒尺寸受温度影响更为显著,当温度高于1050℃时晶粒长大速度明显加快,同时计算了晶粒长大激活能,而且建立了晶粒长大模型. |
| 部门归属 | 沈阳理工大学材料科学与工程学院,中国科学院金属研究所,沈阳理工大学材料科学与工程学院,沈阳理工大学材料科学与工程学院,沈阳理工大学材料科学与工程学院 辽宁沈阳110168,中国科学院金属研究所,辽宁沈阳110168,辽宁沈阳110168,辽宁沈阳110168
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| 关键词 | Gh4169合金
晶粒长大
模型
激活能
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24708
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨小红,张士宏,王忠堂,等. GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究[J]. 沈阳理工大学学报,2007(3):64-68.
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| APA |
杨小红,张士宏,王忠堂,张路宁,&冯斌.(2007).GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究.沈阳理工大学学报(3),64-68.
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| MLA |
杨小红,et al."GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究".沈阳理工大学学报 .3(2007):64-68.
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