| 熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料 |
| 王道岭; 汤素芳; 邓景屹; 刘文川
|
| 2007-04-25
|
| 发表期刊 | 材料研究学报
 |
| 期号 | 2页码:135-139 |
| 摘要 | 采用熔融硅液相浸溃法制备了C／C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔．1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4μm．由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理．由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
|
| 关键词 | 复合材料
熔融硅
液相浸渍
C／c-sic复合材料
抗氧化
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24746
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
王道岭,汤素芳,邓景屹,等. 熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料[J]. 材料研究学报,2007(2):135-139.
|
| APA |
王道岭,汤素芳,邓景屹,&刘文川.(2007).熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料.材料研究学报(2),135-139.
|
| MLA |
王道岭,et al."熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料".材料研究学报 .2(2007):135-139.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论