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Y掺杂BaTO_3中异常长大机理的TEM研究
郑士建; 艾延龄; 马秀良
2006-12-30
发表期刊电子显微学报
期号S1页码:93-94
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016
关键词异常长大:8383 大晶粒:2356 机理:2085 界面反应:2030 掺杂:1991 长大速度:1838 高分辨像:1619 形核:1504 晶界:1388 研究:1241
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24852
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑士建,艾延龄,马秀良. Y掺杂BaTO_3中异常长大机理的TEM研究[J]. 电子显微学报,2006(S1):93-94.
APA 郑士建,艾延龄,&马秀良.(2006).Y掺杂BaTO_3中异常长大机理的TEM研究.电子显微学报(S1),93-94.
MLA 郑士建,et al."Y掺杂BaTO_3中异常长大机理的TEM研究".电子显微学报 .S1(2006):93-94.
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