| HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 | |
| 卓木金; 马秀良 | |
| 2006-12-30 | |
| 发表期刊 | 电子显微学报
 |
| 期号 | S1页码:95-96 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016 |
| 关键词 | 界面层厚度:7807 栅介质层:3216 相对介电常数:2195 薄膜:2048 二氧化硅:1902 氧化铪:1889 透射电子显微镜:1813 等效厚度:1778 退火温度:1778 化学成分:1696 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24853 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卓木金,马秀良. HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究[J]. 电子显微学报,2006(S1):95-96. |
| APA | 卓木金,&马秀良.(2006).HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究.电子显微学报(S1),95-96. |
| MLA | 卓木金,et al."HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究".电子显微学报 .S1(2006):95-96. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [卓木金]的文章 |
| [马秀良]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [卓木金]的文章 |
| [马秀良]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [卓木金]的文章 |
| [马秀良]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论