| 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性 | |
| 巴德纯; 廖国进; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰 | |
| 2006-09-30 | |
| Source Publication | 真空科学与技术学报
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| Issue | 5Pages:421-424 |
| Abstract | 本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3∶Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 |
| description.department | 东北大学机械与自动化学院,东北大学机械与自动化学院,中国科学院金属研究所表面工程部,北京航空航天大学机械与自动化学院,辽宁工学院机械与自动化学院 沈阳110004,沈阳110004辽宁工学院机械与自动化学院锦州121001,沈阳110016,北京100083,锦州121001 |
| Keyword | 光致发光 Al2o3 薄膜 Ce |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24952 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 巴德纯,廖国进,闻立时,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性[J]. 真空科学与技术学报,2006(5):421-424. |
| APA | 巴德纯,廖国进,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2006).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性.真空科学与技术学报(5),421-424. |
| MLA | 巴德纯,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性".真空科学与技术学报 .5(2006):421-424. |
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