| 亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响 |
| 郭金宇; 卢秋虹; 卢磊
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| 2006-09-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 9页码:903-908 |
| 摘要 | 利用电解沉积技术制备出系列亚微米晶纯铜样品,并在样品中引入不同密度的纳米孪晶．室温轧制具有不同孪晶密度的纯铜样品,使样品中储存大量位错．结果表明,具有高密度纳米孪晶结构的纯铜样品,40%轧制变形可使其屈服强度从690 MPa增加到850 MPa；而无孪晶的亚微米铜样品的屈服强度在同样轧制变形条件下只从230 MPa增加到330 MPa．这表明具有高密度纳米孪晶结构的纯铜样品具有很高的位错储存能力． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
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| 关键词 | Cu
纳米孪晶
位错储存
变形机理
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24960
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郭金宇,卢秋虹,卢磊. 亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响[J]. 金属学报,2006(9):903-908.
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| APA |
郭金宇,卢秋虹,&卢磊.(2006).亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响.金属学报(9),903-908.
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| MLA |
郭金宇,et al."亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响".金属学报 .9(2006):903-908.
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