| 泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须 |
| 曹小明; 张劲松; 胡宛平; 杜庆洋
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| 2006-06-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 3页码:291-294 |
| 摘要 | 采用固相和液相反应法在泡沫碳化硅陶瓷骨架表面原位生长碳化硅晶须,研究了催化剂和反应温度的影响．结果表明,催化剂氯化镍的作用使硅与碳直接反应生长出细长的碳化硅晶须．在适当的反应温度下生长的碳化硅晶须的表面光滑,线径比较大, 有少量的呈弯曲状或竹节状;反应温度过高使得硅晶须的缺陷较多．在泡沫碳化硅陶瓷骨架的表面原位生长出碳化硅晶须属于LS 生长机理．具有表面晶须的碳化硅陶瓷以深床体积过滤的方式用于过滤柴油机汽车尾气中的碳颗粒,表面晶须既能提高泡沫陶瓷过滤器的过滤能力,又有利于过滤器的再生． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳市 110016,沈阳市 110016,沈阳市 110016,沈阳市 110016
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| 关键词 | 泡沫碳化硅陶瓷
碳化硅晶须
原位生长
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25028
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
曹小明,张劲松,胡宛平,等. 泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须[J]. 材料研究学报,2006(3):291-294.
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| APA |
曹小明,张劲松,胡宛平,&杜庆洋.(2006).泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须.材料研究学报(3),291-294.
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| MLA |
曹小明,et al."泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须".材料研究学报 .3(2006):291-294.
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