| 泡沫碳化硅陶瓷的导电性能 |
| 曹小明; 田冲; 张劲松; 刘强
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| 2006-04-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 2页码:217-220 |
| 摘要 | 采用高分子热解和反应烧结方法制备出泡沫碳化硅陶瓷,研究了泡沫碳化硅陶瓷的体积分数变化和钛的掺杂对泡沫碳化硅陶瓷骨架导电性能的影响．结果表明：随着泡沫碳化硅陶瓷的体积分数提高,泡沫碳化硅陶瓷的电阻率降低,这是泡沫碳化硅陶瓷筋中部碳化硅的面积增加所引起的；掺杂的钛转变成 TiSi_2导电相改善了泡沫碳化硅陶瓷的导电性能．TiSi_2呈现离散和团聚两种形态分布,以不规则的形状位于碳化硅晶界之间,在碳化硅中作为施主杂质．泡沫碳化硅陶瓷表现出的正或负温度系数取决与掺杂的钛量的多少． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
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| 关键词 | 无机非金属材料
泡沫碳化硅陶瓷
Ti 掺杂
导电性能
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25089
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
曹小明,田冲,张劲松,等. 泡沫碳化硅陶瓷的导电性能[J]. 材料研究学报,2006(2):217-220.
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| APA |
曹小明,田冲,张劲松,&刘强.(2006).泡沫碳化硅陶瓷的导电性能.材料研究学报(2),217-220.
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| MLA |
曹小明,et al."泡沫碳化硅陶瓷的导电性能".材料研究学报 .2(2006):217-220.
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