掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)

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	掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)
	邓文; 祝莹莹; 周银娥; 黄宇阳; 曹名洲; 熊良钺
	2006-03-30
发表期刊	稀有金属材料与工程
期号	3 页码:348-351
摘要	测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。
部门归属	广西大学,广西大学,广西大学,广西大学,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所广西南宁530004中国科学院金属研究所,辽宁沈阳110016,广西南宁530004,广西南宁530004,广西南宁530004,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳110016
关键词	Tial合金电子密度缺陷正电子湮没
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25098
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	邓文,祝莹莹,周银娥,等. 掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)[J]. 稀有金属材料与工程,2006(3):348-351.
APA	邓文,祝莹莹,周银娥,黄宇阳,曹名洲,&熊良钺.(2006).掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文).稀有金属材料与工程(3),348-351.
MLA	邓文,et al."掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)".稀有金属材料与工程 .3(2006):348-351.