| 氢在沉淀强化合金γ/γ′间占位的第一原理计算 |
| 李秀艳,张建,戎利建,李依依
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| 2005-10-20
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| 发表期刊 | 材料科学与工程学报
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| 期号 | 5页码:483-486 |
| 摘要 | 本文针对沉淀强化奥氏体合金氢脆通常较单相奥氏体严重这一点,采用离散变分方法对氢在沉淀强化奥氏体合金中γ基体与γ′相之间占位进行了第一原理计算和分析。结果表明,氢原子在一般沉淀强化合金的γ与γ′相错配度范围内不会偏聚在相界,而是倾向进入基体中,错配度的微小变化对氢的占位没有影响。只有错配度大于3.7%左右,相当于有一定应变的条件下,氢才会有进入γ′相的倾向。在形变过程中进入γ′相的氢使得γ基体与γ′相界面原子成键的方向性增强,从而影响合金的氢脆性能。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016
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| 关键词 | 氢
第一原理计算
错配度
沉淀强化奥氏体合金
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25246
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李秀艳,张建,戎利建,李依依. 氢在沉淀强化合金γ/γ′间占位的第一原理计算[J]. 材料科学与工程学报,2005(5):483-486.
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| APA |
李秀艳,张建,戎利建,李依依.(2005).氢在沉淀强化合金γ/γ′间占位的第一原理计算.材料科学与工程学报(5),483-486.
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| MLA |
李秀艳,张建,戎利建,李依依."氢在沉淀强化合金γ/γ′间占位的第一原理计算".材料科学与工程学报 .5(2005):483-486.
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