| 脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响 |
| 赵彦辉,林国强,李晓娜,董闯,闻立时
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| 2005-10-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 10页码:100-104 |
| 摘要 | 采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜,采用正交实验法设计脉冲偏压电参数,考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响.结果表明,在所有偏压参数(脉冲偏压幅值、占空比和频率)和几何参数(调制周期和周期比)中,脉冲偏压幅值是影响显微硬度的最主要因素;当沉积工艺中脉冲偏压幅值为900V、占空比为50%及频率为30kHz时,薄膜硬度可高达34.1GPa,此时多层膜调制周期为84nm,TiN和Ti单元层厚度分别为71和13nm;由于薄膜中的单层厚度较厚,纳米尺寸的强化效应并未充分体现于薄膜硬度的贡献中,硬度的提高主要与脉冲偏压工艺,尤其是脉冲偏压幅值对薄膜组织的改善有关. |
| 部门归属 | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 大连 116024,大连 116024 大连理工大学物理系 大连 116024,大连 116024 大连理工大学物理系 大连 116024,大连 116024,大连 116024 中国科学院金属研究所 沈阳 110016
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| 关键词 | 脉冲偏压
电弧离子镀
Ti/tin纳米多层薄膜
显微硬度
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25258
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
赵彦辉,林国强,李晓娜,董闯,闻立时. 脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响[J]. 金属学报,2005(10):100-104.
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| APA |
赵彦辉,林国强,李晓娜,董闯,闻立时.(2005).脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响.金属学报(10),100-104.
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| MLA |
赵彦辉,林国强,李晓娜,董闯,闻立时."脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响".金属学报 .10(2005):100-104.
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