| CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响 |
| 冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧
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| 2005-09-25
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| 发表期刊 | 兵器材料科学与工程
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| 期号 | 5页码:19-22 |
| 摘要 | 研究了纳米晶CuCr25和CuCr50触头材料在峰值电流为10A时,真空电弧的截流值、稳定性及其寿命。结果表明,纳米晶CuCr合金的真空电弧稳定性要高于其常规合金,纳米晶CuCr合金截流值远小于常规合金的截流值。从理论分析可得出,纳米晶CuCr合金的蒸汽压为其常规合金蒸汽压的10倍多。由于蒸汽压与电弧放电特性密切相关,所以CuCr触头材料纳米晶化可以有效地增加电弧稳定性和降低材料的截流值。 |
| 部门归属 | 西安交通大学理学院,清华大学机械工程系,西安交通大学理学院,中国科学院金属研究所,西安交通大学理学院 陕西西安710049,北京100084,陕西西安710049,辽宁沈阳110016,陕西西安710049
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| 关键词 | 纳米材料
Cucr触头材料
截流值
饱和蒸汽压
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25270
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧. CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响[J]. 兵器材料科学与工程,2005(5):19-22.
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| APA |
冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧.(2005).CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响.兵器材料科学与工程(5),19-22.
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| MLA |
冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧."CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响".兵器材料科学与工程 .5(2005):19-22.
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