| Bl-AlN/TiN(001)界面结构与电子特性 | |
| 陈东,马秀良 | |
| 2005-08-25 | |
| 发表期刊 | 电子显微学报
 |
| 期号 | 4页码:349 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室 辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016 |
| 关键词 | Aln:6254 Tin:5397 界面结构:3620 电子特性:2904 超晶格:2200 高分辨像:1544 投影态密度:903 第一原理:870 赝势方法:857 平面波:814 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25301 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈东,马秀良. Bl-AlN/TiN(001)界面结构与电子特性[J]. 电子显微学报,2005(4):349. |
| APA | 陈东,马秀良.(2005).Bl-AlN/TiN(001)界面结构与电子特性.电子显微学报(4),349. |
| MLA | 陈东,马秀良."Bl-AlN/TiN(001)界面结构与电子特性".电子显微学报 .4(2005):349. |
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