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CVI法制备2D C/C复合材料
汤素芳,周星明,邓景屹,杜海峰,刘文川
2005-06-30
发表期刊新型炭材料
期号2页码:139-143
摘要采用预制体直接加热模式的CVI工艺在25.5h内制备出24mm厚的2DC/C复合材料,分析了该工艺快速致密的机理,并观察和测试了材料的微观结构和力学性能。结果表明:该工艺能在较短时间内制备出结构均匀、力学性能较好的C/C复合材料,是一种制备C/C复合材料较为理想的工艺。其快速致密机理可认为:自由基磁吸引作用、自由基电沉积作用和自由基脱氢聚合三个方面。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016
关键词化学气相渗 C/c复合材料 自由基 电磁场 粗糙层
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25346
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
汤素芳,周星明,邓景屹,杜海峰,刘文川. CVI法制备2D C/C复合材料[J]. 新型炭材料,2005(2):139-143.
APA 汤素芳,周星明,邓景屹,杜海峰,刘文川.(2005).CVI法制备2D C/C复合材料.新型炭材料(2),139-143.
MLA 汤素芳,周星明,邓景屹,杜海峰,刘文川."CVI法制备2D C/C复合材料".新型炭材料 .2(2005):139-143.
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