总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响

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	总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响
	王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时
	2005-01-30
发表期刊	真空科学与技术学报
期号	1 页码:69-72
摘要	用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定电源功率、氩气流量 4 2 .6sccm、氧流量 15sccm、溅射时间 30min的条件下 ,通过控制总气压改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer12 0 0测量 ,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低 ,同时反射低谷向短波方向移动 ,总气压对消光系数k影响不大 ;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势 ,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现 ,随着总气压的增加TiO2 的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变 ,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
部门归属	东北大学,东北大学,中山大学,中国科学院广州能源研究所,中国科学院金属研究所沈阳110004;沈阳农业大学沈阳110161,沈阳110004,广州510275,广州510070,沈阳110016
关键词	二氧化钛薄膜直流反应磁控溅射总气压反射率
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25487
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时. 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2005(1):69-72.
APA	王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时.(2005).总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响.真空科学与技术学报(1),69-72.
MLA	王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时."总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响".真空科学与技术学报 .1(2005):69-72.