| ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究 |
| 裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时
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| 2005-01-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 1页码:84-88 |
| 摘要 | 采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Ω?cm和80％以上. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
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| 关键词 | 直流反应磁控溅射
Zao薄膜
生长机制
光电特性
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25500
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时. ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究[J]. 金属学报,2005(1):84-88.
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| APA |
裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时.(2005).ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究.金属学报(1),84-88.
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| MLA |
裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时."ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究".金属学报 .1(2005):84-88.
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